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電子、電工針對步入式高低溫實(shí)驗(yàn)室、振動標(biāo)準(zhǔn)參考

2013年03月20日 09:39:12 來源:廣東艾思荔檢測儀器有限公司

 


產(chǎn)品名稱

恒溫恒濕試驗(yàn)箱
冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)
高頻振動試驗(yàn)臺
加速度沖擊實(shí)驗(yàn)
氙燈老化試驗(yàn)箱
PCT老化試驗(yàn)機(jī)

內(nèi)箱尺寸
40*50*40cm
50*60*50cm
60*75*50cm
60*85*80cm
100*100*80cm
即可按客戶要求訂制
性能溫/濕度范圍  
〖溫度〗-40~+150度  
〖濕度〗20%~98%RH  
〖溫度波動度〗±0.5度  
〖濕度波動度〗±1%RH  
〖升溫時(shí)間〗-40~+150度小于70分鐘  
〖降溫時(shí)間〗+20~-40度小于60分鐘;  


       以上系列產(chǎn)品為人工模擬海洋性氣候的鹽霧腐蝕試驗(yàn)設(shè)備,可對電工設(shè)備、金屬材料、制品各種材質(zhì)之表面,經(jīng)油漆、涂料、電鍍、無機(jī)及有機(jī)皮膜、極處理、防銹油等防蝕處理后,測試其制品耐腐蝕性。進(jìn)行加速腐蝕性能變化試驗(yàn)。也是人工氣侯環(huán)境“三防”(濕熱、鹽霧、霉菌)試驗(yàn)設(shè)備之一,是研究機(jī)械、國防工業(yè)、輕工電子、儀器儀表、五金、電鍍、電子、化工、汽車、航天、通訊等行業(yè)等行業(yè)各種環(huán)境適應(yīng)和可靠性的一種重要試驗(yàn)設(shè)備,同時(shí)也可做醋酸銅試驗(yàn).。以便對試品在特定的環(huán)境條件下的性能作出分析及評價(jià)。

電子、電工針對步入式高低溫實(shí)驗(yàn)室、振動標(biāo)準(zhǔn)參考:
一、GB/T2423有以下51個(gè)標(biāo)準(zhǔn)組成:  
1GB/T2423.1-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)A:低溫  
2GB/T2423.2-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)B:高溫  
3GB/T2423.3-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法  
4GB/T2423.4-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Db:交變濕熱試驗(yàn)方法  
5GB/T2423.5-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則:沖擊  
6GB/T2423.6-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Eb和導(dǎo)則:碰撞  
7GB/T2423.7-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ec和導(dǎo)則:傾跌與翻倒(主要用于設(shè)備型樣品)  
8GB/T2423.8-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ed:自由跌落  
9GB/T2423.9-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cb:設(shè)備用恒定濕熱  
10GB/T2423.10-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fc和導(dǎo)則:振動(正弦)  
11GB/T2423.11-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fd:寬頻帶隨機(jī)振動--一般要求  
12GB/T2423.12-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fda:寬頻帶隨機(jī)振動--高再現(xiàn)性  
13GB/T2423.13-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fdb:寬頻帶隨機(jī)振動中再現(xiàn)性  
14GB/T2423.14-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fdc:寬頻帶隨機(jī)振動低再現(xiàn)性  
15GB/T2423.15-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ga和導(dǎo)則:穩(wěn)態(tài)加速度  
16GB/T2423.16-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)J和導(dǎo)則:長霉  
17GB/T2423.17-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ka:鹽霧試驗(yàn)方法  
18GB/T2423.18-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)二部分:試驗(yàn)--試驗(yàn)Kb:鹽霧,交變(氯化鈉溶液)  
19GB/T2423.19-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法  
20GB/T2423.20-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Kd:接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法  
21GB/T2423.21-1991電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)M:低氣壓試驗(yàn)方法  
22GB/T2423.22-2002電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)N:溫度變化  
23GB/T2423.23-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)Q:密封  
24GB/T2423.24-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Sa:模擬地面上的太陽輻射  
25GB/T2423.25-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AM:低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)  
26GB/T2423.26-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/BM:高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)  
27GB/T2423.27-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AMD:低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)方法  
28GB/T2423.28-1982電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)T:錫焊試驗(yàn)方法  
29GB/T2423.29-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)U:引出端及整體安裝件強(qiáng)度  
30GB/T2423.30-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)XA和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬  
31GB/T2423.31-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)方法  
32GB/T2423.32-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)方法  
33GB/T2423.33-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Kca:高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法  
34GB/T2423.34-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AD:溫度/濕度組合循環(huán)試驗(yàn)方法  
35GB/T2423.35-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AFc:散熱和非散熱試驗(yàn)樣品的低溫/振動(正弦)綜合試驗(yàn)方法  
36GB/T2423.36-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/BFc:散熱和非散熱樣品的高溫/振動(正弦)綜合試驗(yàn)方法  
37GB/T2423.37-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)L:砂塵試驗(yàn)方法  
38GB/T2423.38-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)R:水試驗(yàn)方法  
39GB/T2423.39-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ee:彈跳試驗(yàn)方法  
40GB/T2423.40-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱  
41GB/T2423.41-1994電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程風(fēng)壓試驗(yàn)方法  
42GB/T2423.42-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)低溫/低氣壓/振動(正弦)綜合試驗(yàn)方法  
43GB/T2423.43-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)二部分:試驗(yàn)方法元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊(Ea)、碰撞(Eb)、振動(Fc和Fb)和穩(wěn)態(tài)加速度(Ca)等動力學(xué)試驗(yàn)中的安裝要求和導(dǎo)則  
44GB/T2423.44-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Eg:撞擊彈簧錘  
45GB/T2423.45-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Z/ABDM:氣候順序  
46GB/T2423.46-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ef:撞擊擺錘  
47GB/T2423.47-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fg:聲振  
48GB/T2423.48-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ff:振動--時(shí)間歷程法  
49GB/T2423.49-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fe:振動--正弦拍頻法  
50GB/T2423.50-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn)  
51GB/T2423.51-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ke:流動混合氣體腐蝕試驗(yàn)  
二、GB2421-89電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程總則  
三、GB/T2422-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)術(shù)語  
四、GB2424  
1.GB2424.1-89電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程高溫低溫試驗(yàn)導(dǎo)則  
2.GB/T2424.2-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程濕熱試驗(yàn)導(dǎo)則  
3.GB/T2424.9-90電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程長霉試驗(yàn)導(dǎo)則  
4.GB/T2424.10-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程大氣腐蝕加速試驗(yàn)的通用導(dǎo)則  
5.GB/T2424.11-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程接觸點(diǎn)和鏈接件的二氧化硫試驗(yàn)導(dǎo)則  
6.GB/T2424.12-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)導(dǎo)則  
7.GB/T2424.13-81電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度變化試驗(yàn)導(dǎo)則  
8.GB/T2424.14-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程2部分:試驗(yàn)方法太陽輻射試驗(yàn)導(dǎo)則  
9.GB/T2424.15-92電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度/低氣壓綜合試驗(yàn)導(dǎo)則  
10.GB/T2424.17-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程錫焊試驗(yàn)導(dǎo)則  
11.GB/T2424.18-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程在清洗濟(jì)中浸漬試驗(yàn)導(dǎo)則  
12.GB/T2424.19-84電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程模擬儲存影響的環(huán)境試驗(yàn)導(dǎo)則  
13.GB/T2424.20-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)導(dǎo)則  
14.GB/T2424.21-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)導(dǎo)則  
15.GB/T2424.22-86電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度(低溫、高溫)和振動(正)綜合試驗(yàn)導(dǎo)則  
16.GB/T2424.23-90電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程水試驗(yàn)導(dǎo)則  
17.GB/T2424.24-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度(低溫、高溫)/低氣壓/振動(正弦)綜合試驗(yàn)導(dǎo)則 

 

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