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壓力容器鍛件超聲波探傷

來(lái)源:北京科威精益科技有限公司   2009年08月11日 17:19  

 

本標(biāo)準(zhǔn)適用于采用脈沖反射式超聲波探傷儀對(duì)公稱厚度大于等于50mm的壓力容器用碳鋼和低合金鋼鍛件進(jìn)行的超聲波探傷。并且規(guī)定了探傷方法和結(jié)果的等級(jí)分類。
   本標(biāo)準(zhǔn)不適用于奧氏體不銹鋼等粗晶材料,也不適用于內(nèi)徑與外徑之比在75%以下的環(huán)形和筒形鍛件的橫波探傷。
1術(shù)語(yǔ)定義
1.1 各類鍛件的定義及其公稱厚度的規(guī)定。
   鍛件主要形狀如圖1所示:
 
 1
1.1.1筒形鍛件軸向長(zhǎng)度L大于其外徑尺寸D的軸對(duì)稱空心鍛件如圖1(a)所示。t為公稱厚度。
1.1.2環(huán)形鍛件-軸向長(zhǎng)度L小于等于其外徑尺寸D的軸對(duì)稱空心鍛件如圖1(a)所示。t為公稱厚度。
1.1.3餅形鍛件-軸向長(zhǎng)度L小于等于其外徑尺寸D的軸對(duì)稱形鍛件如圖1(b)所示。t為公稱厚度。
1.1.4碗形鍛件-用作容器封頭,中心部分凹進(jìn)去的軸對(duì)稱形鍛件如圖1(c)所示。t為公稱厚度。
1.1.5方形鍛件-相交面互相垂直的六面體鍛件如圖1(d)所示。
   三維尺寸ab、c中zui小者為公稱厚度。
1.2 底波降低量BG/BF(dB)
   無(wú)缺陷區(qū)的*次底波高度(BG)和有缺陷區(qū)的*次底波高度(BF)之比。由缺陷引起的底面反射的降低量用dB值表示。
1.3 密集區(qū)缺陷
    當(dāng)熒光屏掃描線上相當(dāng)于50mm的聲程范圍內(nèi)同時(shí)有5個(gè)或者5個(gè)以上的缺陷反射信號(hào);或者在50mm×50mm的探測(cè)面上發(fā)現(xiàn)同一深度范圍內(nèi)有5個(gè)或5個(gè)以上的缺陷反射信號(hào)。
1.4 缺陷當(dāng)量直徑
   AVG方法求出的假定與超聲波束相垂直的平底孔的直徑,稱為缺陷當(dāng)量直徑或簡(jiǎn)稱為當(dāng)量直徑。
1.VG曲線
   以縱座標(biāo)軸表示相對(duì)的反射回波高度,以橫座標(biāo)軸表示聲程,對(duì)不同直徑且假定與超聲波束相垂直的圓平面缺陷所畫(huà)出的曲線圖叫AVG曲線,亦稱DGS曲線。
2探傷人員
   鍛件探傷應(yīng)由具有一定基礎(chǔ)知識(shí)和鍛件探傷經(jīng)驗(yàn),并經(jīng)考核取得國(guó)家認(rèn)可的資格證書(shū)者擔(dān)任。
3探傷器材
3.1 探傷儀
3.1.1應(yīng)采用A型脈沖反射式超聲波探傷儀,其頻響范圍至少應(yīng)在1~5MHz內(nèi)。
3.1.2儀器應(yīng)至少在滿刻度的75%范圍內(nèi)呈線性顯示(誤差在5%以內(nèi)),垂直線性誤差應(yīng)不大于5%。
3.1.3儀器和探傷的組合靈敏度:在達(dá)到所探工件zui大聲程處的探傷靈敏度時(shí),有效靈敏度余量至少為10dB
3.1.4衰減器的精度和范圍,儀器的水平線性、動(dòng)態(tài)范圍等均應(yīng)符合ZBY230-84A型脈沖反射式超聲波探傷儀通用技術(shù)條件》中的有關(guān)規(guī)定。
3.2 探頭
3.2.1探頭的公稱頻率主要為2.5MHz,頻率誤差為±10%。
3.2.2主要采用晶片尺寸為Φ20mm的硬保護(hù)膜直探頭。
3.2.3必要時(shí)也可采用2MHz2.25MHz,以及晶片尺寸不大于Φ28mm的探頭。
3.2.4探頭主聲束應(yīng)峰,無(wú)偏斜。
3.3 耦合劑
   可采用機(jī)油、甘油等透聲性能好,且不損害工件的液體。
4探傷時(shí)機(jī)及準(zhǔn)備工作
4.1 探傷時(shí)機(jī)
   探傷原則上應(yīng)按排在zui終熱處理后,在槽、孔、臺(tái)階等加工前,比較簡(jiǎn)單的幾何形狀下進(jìn)行。熱處理后鍛件形狀若不適于超聲波探傷也可在熱處理前進(jìn)行。但在熱處理后,仍應(yīng)對(duì)鍛件盡可能*地進(jìn)行探傷。
4.2 準(zhǔn)備工作
4.2.1探傷面的光潔度不應(yīng)低于Ñ5,且表面平整均勻,并與反射面平行,圓柱形鍛件其端面應(yīng)與軸線相垂直,以便于軸向探傷。方形鍛件的端面應(yīng)加工平整,相鄰的端面應(yīng)互相垂直。
4.2.2探傷表面應(yīng)無(wú)劃傷以及油垢和污物等附著物。
4.2.3鍛件的幾何形狀及表面檢查均合格后,方可進(jìn)行探傷。
4.3 重要區(qū)
    鍛件的重要區(qū)應(yīng)在設(shè)計(jì)圖樣中或按JB755-85《壓力容器鍛件技術(shù)條件》予以注明。
5探傷方法
   鍛件一般應(yīng)進(jìn)行縱波探傷,對(duì)筒形鍛件還應(yīng)進(jìn)行橫波探傷,但掃查部位和驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)由供需雙方商定。
5.1 橫波探傷
   橫波探傷應(yīng)按附錄B的要求進(jìn)行。
5.2 縱波探傷
5.2.1掃查方法
5.2.1.1鍛件原則上應(yīng)從兩相互垂直的方向進(jìn)行探傷,盡可能地探測(cè)到鍛件的全體積。主要探測(cè)方向如圖2所示,其他形狀的鍛件也可參照?qǐng)?zhí)行。
5.2.1.2 掃查范圍:應(yīng)對(duì)鍛件整個(gè)表面進(jìn)行連續(xù)全面掃查。
5.2.1.3 掃查速度:探頭移動(dòng)速度不超過(guò)150mm/s。
5.2.1.4 掃查復(fù)蓋應(yīng)為探頭直徑的15%以上。
5.2.1.5 當(dāng)鍛件探測(cè)厚度大于400mm時(shí),應(yīng)從相對(duì)兩端面探傷。
5.2.2探傷靈敏度的校驗(yàn)。
5.2.2.1原則上利用大平底采用計(jì)算法確定探傷靈敏度,對(duì)由于幾何形狀所限,以及缺陷在近場(chǎng)區(qū)內(nèi)的工件,可采用試塊法(見(jiàn)附錄A)。
5.2.2.2 用底波法校正靈敏度,校正點(diǎn)的位置應(yīng)選在工件上無(wú)缺陷的完好區(qū)域。
5.2.2.3曲面補(bǔ)償:對(duì)于探測(cè)面是曲面而又無(wú)法采用底波法的工件,應(yīng)采用曲率與工件相同或相近(0.7~1.1的參考試塊(見(jiàn)附錄A);或者采用小直徑晶片的探頭,使其近場(chǎng)區(qū)的長(zhǎng)度小于等于1/4工件半徑,這樣可不需進(jìn)行曲面補(bǔ)償。
5.2.2.4 探傷靈敏度不得低于Φ2mm當(dāng)量直徑。
5.2.3缺陷當(dāng)量的確定
5.2.3.1 采用AVG曲線及計(jì)算法確定缺陷當(dāng)量。
5.2.3.2 計(jì)算缺陷當(dāng)量時(shí),當(dāng)材質(zhì)衰減系數(shù)超過(guò)4dB/m時(shí),應(yīng)考慮修正。
5.2.3.3 材質(zhì)衰減系數(shù)的測(cè)定。
 
探測(cè)方向(垂直探傷法)
a.應(yīng)在被測(cè)工件無(wú)缺陷區(qū)域,選取三處有代表性的部位,求B1/B2的值,即*次底波高度(B1與第二次底波高度(B2之比的dB差值。
b. 衰減系數(shù)a(dB/m)的計(jì)算公式為
                            a=(B1/B2(dB)-6dB)/2T
式中:T-聲程,m。
5.2.3.4AVG曲線圖見(jiàn)附錄C。
5.3 靈敏度的重新校驗(yàn)
5.3.1除每次探傷前應(yīng)校準(zhǔn)靈敏度外,遇有下述情況時(shí),必須對(duì)探傷靈敏度進(jìn)行重新校準(zhǔn):
a. 校正后的探頭、耦合劑和儀器調(diào)節(jié)旋鈕等發(fā)生任何改變時(shí);
b. 開(kāi)路電壓波動(dòng)或操作者懷疑靈敏度有變動(dòng)時(shí);
c. 連續(xù)工作4h以上;d. 工作結(jié)束時(shí)。
5.3.2當(dāng)增益電平降低2dB以上時(shí),應(yīng)對(duì)上一次校準(zhǔn)以來(lái)所有檢查的鍛件進(jìn)行復(fù)探;當(dāng)增益電平升高2dB以上時(shí),應(yīng)對(duì)所有的記錄信號(hào)進(jìn)行重新評(píng)定。
6記錄
6.1 記錄當(dāng)量直徑超過(guò)Φ4mm的單個(gè)缺陷的波幅和位置。
6.2 密集性缺陷:記錄密集性缺陷中zui大當(dāng)量缺陷的位置和分布。
6.2.1餅形鍛件應(yīng)記錄大于等于Φ4mm當(dāng)量直徑的缺陷密集區(qū)。
6.2.2其他鍛件應(yīng)記錄大于等于Φ3mm當(dāng)量的缺陷密集區(qū)。
6.2.3缺陷密集區(qū)面積以50mm×50mm的方塊作為zui小量度單位,其邊界可由半波高度法決定。
6.3 應(yīng)按表2要求記錄底波降低量。
6.4 衰減系數(shù):若供需雙方有規(guī)定時(shí),應(yīng)記錄衰減系數(shù)。
7等級(jí)分類
7.1 單個(gè)缺陷反射的等級(jí)見(jiàn)表1。
單個(gè)缺陷反射的等級(jí)
   級(jí)
缺陷當(dāng)量直徑
≤Φ4
Φ4+(7~8dB)
Φ4+(>8~12dB)
Φ4+(>12~16dB)
>Φ4+16dB


 
7.2 底波降低量的等級(jí)見(jiàn)表2
由缺陷引起底波降低量的等級(jí)
   級(jí)
 
降低量
BG/BF
 
≤8
>8~14
>14~20
>20~26
>26
 
 
 
 
 
 
 


 
注:在計(jì)算缺陷引起的底面反射降低量時(shí),應(yīng)扣除4dB/m的材質(zhì)衰減。
   2僅適用于聲程大于一倍近場(chǎng)區(qū)的缺陷。
7.3 密集區(qū)缺陷等級(jí)見(jiàn)表3。
由密集區(qū)缺陷引起的等級(jí)
       級(jí)
密集區(qū)缺陷占探傷總面積百分比H
0
>0~5%
>5%~10%
>10%~20%
>20%


 
注:表1~3的等級(jí)應(yīng)作為獨(dú)立的等級(jí)分別使用。
7.4 如果工件的材質(zhì)衰減對(duì)探傷效果有較大的影響時(shí),應(yīng)重新進(jìn)行熱處理。
7.57.17.2、7.3條認(rèn)定級(jí)別的缺陷,如果被探傷人員探定為危害性缺陷時(shí),可以不受上述條文的限制。
8探傷報(bào)告
   探傷報(bào)告不應(yīng)少于以下內(nèi)容。
8.1工件情況:工件名稱、材料牌號(hào)、編號(hào)、材質(zhì)衰減、主要部位尺寸草圖、探傷面的光潔度。
8.2探傷條件:探傷儀型號(hào)、探頭頻率、晶片尺寸(K、探測(cè)方向、探傷靈敏度、參考反射體、耦合劑等。
8.3 探傷結(jié)果
8.3.1缺陷位置、缺陷當(dāng)量直徑、底波降低區(qū)及缺陷分布示意圖。
8.3.2缺陷等級(jí)及其他。
8.4 探傷人員的資格證號(hào)、等級(jí)、姓名。報(bào)告簽發(fā)人的資格證書(shū)、等級(jí)、姓名、日期。
附件A
試塊要求
(補(bǔ)充件)
A1 遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)使用,探測(cè)表面為平面時(shí),應(yīng)采用CS2型標(biāo)準(zhǔn)試塊。
A2 遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)使用,探測(cè)表面為平面時(shí),應(yīng)采用CS1型標(biāo)準(zhǔn)試塊。
 
A1
A3探傷面是曲面時(shí),原則上應(yīng)采用與工件具有大致相當(dāng)曲率半徑的對(duì)比試塊,其具體形狀如圖A1所規(guī)定。
附錄B
橫波探傷
(補(bǔ)充件)
B1 橫波探傷僅適用于內(nèi)外徑之比大于等于75%的環(huán)形和筒形鍛件。
B2 探頭
B2.1 探頭公稱頻率主要為2.5MHz,也可用2MHz。
B2.2 探頭晶片面積140~400mm2
B2.3 原則上應(yīng)采用K1探頭,但根據(jù)工件幾何形狀的不同,也可采用其他的K值探頭。
B3 參考反射體
B3.1為了調(diào)整探傷靈敏度,利用被探工件壁厚或長(zhǎng)度上的加工余量部分制作對(duì)比試塊,在鍛件內(nèi)外表面,分別沿軸向和周向加工平行的V形槽作為標(biāo)準(zhǔn)溝槽,V形槽長(zhǎng)度為25mm,深度為鍛件壁厚的1%,角度為60°。也可采用其他等效的反射體(如邊角反射等)。
B4 探傷方法
B4.1 掃查方法
B4.1.1 掃查方法見(jiàn)圖B1。
 
B1
B4.1.2 探頭移動(dòng)速度不應(yīng)超過(guò)150mm/s
B4.1.3 掃查復(fù)蓋應(yīng)為探頭寬度的15%以上。
B4.2 靈敏度檢驗(yàn)
   從鍛件外圓面將探頭對(duì)準(zhǔn)內(nèi)圓面的標(biāo)準(zhǔn)溝槽,調(diào)整增益,使zui大反射高度為滿幅的80%,將該值在面板上作一點(diǎn),以其為探傷靈敏度;再移動(dòng)探頭探外圓面的標(biāo)準(zhǔn)溝槽,并將zui大反射高度亦在面板上作一點(diǎn),將以上兩點(diǎn)用直線連接并延長(zhǎng),使之包括全部探傷范圍,繪出距離-振幅曲線。內(nèi)圓面探傷時(shí)以同一順序進(jìn)行,但探頭斜楔應(yīng)與內(nèi)圓面曲率一致。
B5 記錄
   記錄超過(guò)距離-振幅曲線一半的缺陷反射和缺陷檢出位置。
附錄C
AVG曲線圖
(參考件)
C1AVG曲線參考圖舉例如下:
 
C1 AVG曲線圖(UsIP-11型儀器,Φ24mmK2G
 
C2 AVG曲線圖(CTS-22型儀器,2.5MHz、Φ20mm
C2AVG曲線圖必須在CS1CS2型標(biāo)準(zhǔn)試塊上測(cè)定后繪制。
 

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