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同類產(chǎn)品
化學所有機固體室的研究人員使用美國Ocean NanoTech公司制備的高質量的具有核殼結構的CdSe/ZnS和CdSe/CdS/ZnS納晶量子點,同時使用聚三苯胺(poly-TPD)為空穴傳輸層、八羥基喹啉鋁(Alq3)為電子傳輸層,通過調節(jié)量子點尺寸以及通過器件結構和各層厚度的優(yōu)化,制備了可發(fā)紅、橙、黃、綠四種顏色光的QD-LED器件(圖2),其zui大亮度分別達到9064 (紅光)、3200(橙光)、4470(黃光)和3700(綠光)cd/m2,分別為各色光QD-LED文獻報道的zui高值。同時,這些QD-LEDs還具有較低的啟亮電壓(3-4V)、改進的效率(1.1-2.8 cd/A)、高的色純度(電致發(fā)光譜半峰寬30nm左右)和較長的工作壽命。
QD-LED具有與聚合物發(fā)光二極管(PLED)類似的器件結構(圖1)和可溶液加工的特點,其發(fā)光層由半導體量子點(QDs)膠體溶液旋涂制成,因而具有與PLED同樣的制備過程簡單、成本低、可制成柔性器件等優(yōu)點。同時,QD-LED與PLED相比,還具有發(fā)光色純度高(發(fā)光半峰寬窄)、發(fā)光顏色可通過控制量子點尺寸大小進行調節(jié)等突出優(yōu)點。除此之外,QD-LED還是半導體納晶的一個重要應用領域。因此,對QD-LED的研究引起了薄膜電致發(fā)光器件和半導體納晶研究工作者的極大關注。
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QD-LED器件結構:(a) 半導體量子點的的結構及其膠體溶液的熒光照片;(b) 紅光QD-LED各組分的能級結構;(c) PEDOT、poly-TPD和Alq3的分子結構
QD-LED的I-V和L-V曲線(左圖,插圖為器件結構)和電致發(fā)光光譜(右圖,插圖為器件的照片)。 |
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