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光刻蝕的基本工序2016/09/27
微流控分析芯片上微通道的制作，起源于制作半導(dǎo)體及集成電路芯片所廣泛使用的光刻和蝕刻技術(shù)。光刻蝕是用光刻膠、掩模和紫外光進(jìn)行微制造，它的工藝成熟，已廣泛用于硅、玻璃和石英基片上制作微結(jié)構(gòu)。光刻蝕技術(shù)由薄膜沉積、光刻和刻蝕三個(gè)工序組成。主要包括：薄膜沉積：光刻前先在基片表面覆蓋一層薄膜，薄膜的厚度為數(shù)?到幾十微米，這一工藝過程叫薄膜沉積。光刻：在薄膜表面用甩膠機(jī)均勻地覆蓋上一層光膠。將光刻掩模上微流控芯片設(shè)計(jì)圖案通過曝光成像的原理轉(zhuǎn)移到光刻膠層上的工藝過程稱為光刻?？涛g：是將光膠層上的平面二維圖形轉(zhuǎn)
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